三星下一代芯片的问题可能会影响其生产

三星可能正在努力解决可能影响其大规模生产芯片和设备能力的 3nm 制造问题。

三星一直在努力过渡到 3nm 半导体设计，这将使其能够生产更强大、更节能的处理器。然而，随着每一次新的飞跃，制造过程中涉及的技术难度也会增加。据报道，三星正在应对其中的一些技术障碍，努力应对可能影响大规模生产的低良率。

据韩语Businesspost.kr报道，通过SamMobile，三星代工厂正在处理低于标准的产量。据信三星 3nm 芯片的初始运行将用于其自己的 Exynos 半导体系列，很可能是 Exynos 2200 的继任者。鉴于三星希望使用自己的芯片并减少对高通的依赖，如果报道属实，它可能导致其旗舰设备的供应受限。

除了从 4nm 向 3nm 迈进，三星还率先采用了 GAAFET(Gate all around FET)，而不是既定的 FINFET(Fin FET)设计。GAAFET 是一种新的晶体管设计，需要将芯片移动到 3nm 阈值以下，因为 FINFET 具有使其不适合的物理限制。

完全有可能转向 GAAFET 有助于解决三星的问题，因为新设计需要不同的方法。英特尔曾尝试在其 7nm 处理器上使用 GAAFET，但由于据称与三星面临的类似问题而推迟了这一举措。

有趣的是，台积电决定在其 3nm 半导体中不采用 GAAFET，等到它转向 2nm 来实施新的晶体管设计。虽然这种方法可能不像三星那样“创新”，但台积电以比三星更高产量、更高质量的制造工艺而闻名。如果报道属实，三星目前的问题将无助于改变这种声誉。